
중국 CXMT, EUV 없이 5세대 D램 양산에 들어갔습니다
#중국 창신메모리(CXMT)가 9/20 5세대 D램 양산을 시작하며 삼성전자·SK하이닉스·마이크론이 주도해온 시장에 본격 도전했습니다. 메모리 셀 어레이 간격을 11.95nm까지 좁혔고, EUV 접근이 막힌 상황에서 기존 DUV 장비에 쿼드러플 패터닝(QTP)을 겹쳐 미세 패턴을 구현했습니다. 함께 내놓은 24Gb LPDDR5X 2종은 스마트폰·휴대기기용이며, SCMP는 개선 폭을 "웨이퍼당 다이 수 50% 증가"로 전했습니다. CXMT는 7월 IPO 이후 중국 내 시가총액 1위에 올랐습니다.
💡EUV 없이 우회로로 세대를 올렸다는 게 핵심입니다. 압력은 HBM이 아니라 모바일 범용 D램 가격에서 먼저 나타납니다.









