
삼성, 가속기 위에 쌓는 zHBM 첫 공개…HBM5 대비 8배 목표
#8/5 미국 산타클라라에서 열린 FMS 2026 키노트에서 삼성전자가 AI 가속기 위에 메모리를 수직으로 쌓는 zHBM과 낸드 기반 zNAND-O 컨셉 모델을 업계 최초로 공개했습니다. 삼성은 zHBM을 포함한 차세대 인터페이스 시스템이 HBM5 대비 약 8배 성능, 10배 이상 밀도, 3배 전력효율, 열저항 절반 이하를 낼 것으로 기대한다고 밝혔습니다. 400단 이상을 웨이퍼 본딩으로 쌓은 V10 BV-NAND(V9 대비 밀도 약 58% 향상), LPDDR5X-PIM, PCIe Gen6 SSD PM1763도 함께 제시했습니다. 이진협 플래시개발실 부사장은 120B 파라미터 GPT 모델 구동 시 zNAND-O가 기존 DRAM 서버와 동일한 처리 속도를 내면서 운영비는 6분의 1이었다고 말했습니다. 다만 둘 다 컨셉 모델이고 양산 시점은 공개되지 않았습니다.
💡HBM 경쟁의 축이 '몇 단을 쌓느냐'에서 '가속기 위에 얹느냐'로 넘어갈 수 있다는 예고편입니다. 양산 로드맵이 없어 당장의 HBM4·HBM4E 물량 구도는 그대로입니다.









